istock
Мемристоры работают быстрее современной флэш-памяти
Американские ученые создали накопитель памяти толщиной в один атом. Об этом сообщает журнал Nature Nanotechnology в среду, 25 ноября.
Отмечается, что плотность записи информации на подобный накопитель примерно в 100 раз больше, чем у современных флэш-накопителей.
Устройство представляет собой мемристор – элемент памяти, меняющий свое сопротивление в зависимости от электрического заряда, который сквозь него прошел.
Мемристоры работают быстрее современной флэш-памяти, более того, на них можно записать больше данных при том же размере устройства.
Как считалось ранее, что очень тонкие материалы, толщина которых приближается к размеру атома, не могут быть мемристорами. Но опыты группы ученых под руководством Деджи Акинванде из Техасского университета в Остине показали, что это не так.
Два года назад они показали, что мемристорные свойства может проявлять практически двумерный материал на основе нитрида бора (h-BN) – его толщина составляла всего треть нанометра, то есть он был в три миллиарда раз меньше метра. Это устройство ученые назвали атомристором, поскольку его толщина сопоставима с размерами одного атома.
В новом же исследовании Акинванде с коллегами добился еще большего успеха. На основе одноатомного слоя дисульфида молибдена (MoS2) они создали еще более миниатюрное устройство. Его площадь составляет всего один квадратный нанометр.
Тесты устройства показали, что плотность записи информации на него может составлять около 25 ТБ/см2. Это примерно в 100 раз больше, чем у современных флэш-накопителей. Ученые надеются, что если такие устройства дойдут до промышленного производства, то станут основой для нейроморфных вычислительных систем, новых систем радиосвязи и многого другого.
А недавно мы писали о том, что украинские ученые разработали новую концепцию киберзащиты из трех уровней.
Подпишитесь на ежедневную еmail-рассылку от создателей газеты номер 1 в Украине. Каждый вечер в вашей почте самое важное, эксклюзивное и полезное. Подписаться.
